原廠簡介

PVA TePla致力研發先進的微波電漿科技,提供獨家OLED/PLED玻璃表面清洗、活化與改質(親水/斥水表面)以及ITO電極、PCB、工業電子元件、印刷表面清潔之專業處理技術,為表面清洗與改質的理想設備。

設備功能

PVA TePla的電漿處理系統是高效地去除光阻的利器,並設計來支援power devices、MEMS、HBLED等半導體及相關電子工業之製造生產。

設備規格

設備型號 GIGAbatch
360/380M
GIGAbatch
360/380P
GIGAfab
M
GIGAfab
A150/200
GIGAfab
A200/300
製程型式 批次 批次 批次 單片 單片
進料方式 手動 自動 手動 自動 自動
腔體 1 set 1 set 1 set 1~3 set 1~2 set
晶片尺寸
承載量
6″/8″ Wafer
50/25 pcs
1 cassette
6″/8″ Wafer
50/25 pcs
300x300mm
範圍自由擺放
3 cassette
6″/8″ wafer
1~2 cassette
6″/8″ wafer
製程控溫 (顯示) (顯示) 25~140℃ 25~250℃ 25~250℃
製程控壓 選配 DSC 選配 DSC 內含 內含 內含
氣體管道 標準2
擴增2
標準2
擴增2
標準2
擴增2
標準2
擴增2
標準2
擴增2
電漿源
最大功率
微波
1000w
微波
1000w
微波
2000w
微波
2000w
微波
2000w
終點偵測 光訊號
EPD
光訊號
EPD
光訊號
EPD
光訊號
EPD
光訊號
EPD
尺寸規格
mm
795x710x1740 795x710x1740 850x1300x1990 750x1500x1850 850x2100x1990
製程均勻性 <30% <30% <7.5% <5% <7.5%

 

設備應用

  • 高劑量離子植入或乾蝕刻製程後之光阻去除
  • lift off 金屬製程前之表面潔淨處理
  • 黃光顯影後、濕式或電漿蝕刻前之表面潔淨處理
  • 存儲後的表面清潔
  • 光阻或有機保護層之去除
  • MEMS製造之犧牲層去除
  • Polyimide 薄膜之等向性蝕刻

設備優勢

機台設計採微波電漿源,比起易產生材料破壞的RF電漿,本技術為純化學反應,更適合做為乾式清洗、表面處理、薄膜去除之生產工具。

本質上,微波電漿有如下表現:

  • 100倍的反應離子密度,可推昇較高的蝕刻速率
  • 關鍵的低自建偏壓,可降低離子轟擊帶來之損傷

製程技術介紹

  • OLED 畫素印刷製程前:表面親/斥水特性處理

  • MEMS製程:犧牲層去除

  • 半導體製程:濕式蝕刻前親水性處理

  • 半導體黃光製程:顯影後表面潔淨處理

影片介紹